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IRFH3707TR2PBF中文资料

IRFH3707TR2PBF图片

IRFH3707TR2PBF外观图

  • 大小:4KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
  • 标准包装:400
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:12.4 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:8.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:755pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装:PQFN(3x3)单芯片焊盘
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRFH3707TR2PBFTR

IRFH3707TR2PBF供应商

更新时间:2022-12-31 16:54:27
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